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RTP-1200快速退火爐

描述:RTP-1200快速退火爐
該儀器:尺寸小巧,使用風冷、無須水冷,電流要求不高(3安培),性價比高,使用方便,非常適合科研院所的科研使用。

更新時間:2020-10-31
訪問次數:2103
詳情介紹
品牌其他品牌價格區間面議
產地類別進口應用領域化工,能源,電子,印刷包裝,電氣

RTP-1200快速退火爐
該儀器:尺寸小巧,使用風冷、無須水冷,電流要求不高(3安培),性價比高,使用方便,非常適合科研院所的科研使用。
 

技術規格: 
  - 加熱方式:紅外鹵素燈,600W;
  - 紅外燈數量:4支;
  - 升溫速率:100℃/秒;
  - 降溫速率:50秒(1000℃ → 400℃);
  - 溫度:1200℃;
  - 溫度精度:+/-0.3℃
  - 大樣品尺寸:15 x 20mm;
  - 退火環境:真空、惰性氣體、空氣、其他工藝氣氛(如氧氣、氫氮混合氣等);
  - 真空泵及極限壓力:機械泵,10-3Torr水平(選配);
  - 電壓:220 V,單相;
  - 儀器尺寸:400*300*450mm (W*D*H);
  - 質量:凈重30Kg;

RTP-1200快速退火爐

儀器特點:

  • 可在真空/不同氣氛/空氣不同環境下,對樣品進行快速熱處理;
  • 溫控精度高;
  • 無須配置冷水機;
  • 無須使用三相電,普通實驗室單相電即可使用;
  • 緊湊的臺式設計;
  • 儀器操作方便,樣片裝取容易;
  • 適合高?;蜓芯克蒲惺褂?;
  • 價格合理,高性價比;
  •  

應用領域:

  • 快速熱退火 (Rapid Thermal Annealing, RTA);
  • 快速熱氧化 (Rapid Thermal Oxidation, RTO);
  • 快速熱氮化 (Rapid Thermal Nitridation, RTN);
  • 硅化 (Silicidation);
  • 擴散 (Diffusion);
  • 化合物半導體退火 (Compound Semiconductor Annealing);
  • 離子注入后退火 (Implant Annealing);
  • 電極合金化 (Contact Alloying);
  • 晶體化和致密化 (Crystallization and Densification);
  • 合金熔點分析;
  • 薄膜沉積;
  • 等等…

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